Highly scalable non-volatile resistive memory using simple binary oxide driven by asymmetric unipolar voltage pulses
- I. G. Baek
- , M. S. Lee
- , S. Seo
- , M. J. Lee
- , D. H. Seo
- , D. S. Suh
- , J. C. Park
- , S. O. Park
- , H. S. Kim
- , I. K. Yoo
- , U. In Chung
- , J. T. Moon
Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review
707
Scopus
citations